如今的介質(zhì)陶瓷電容器，是介電介質(zhì)陶瓷電容器層和層疊在一起的保護介電層，以形成均勻的介質(zhì)陶瓷電容器主體，介電保護層、是環(huán)狀體，兩個內(nèi)部電極中的導電膜是膜的表面，介質(zhì)陶瓷電容器的環(huán)和主體具有一排通孔，端電極包括外環(huán)電極尖端電極和內(nèi)環(huán)，其中內(nèi)環(huán)的電極端的金屬化薄膜，被覆蓋通孔的內(nèi)端，孔和金屬化膜的電極環(huán)末端的外端覆蓋柱的外壁。

如今介質(zhì)陶瓷電容器的介電常數(shù)，一般小于要求數(shù)值，電氣性能穩(wěn)定，基本上有溫度隨時間變化、介質(zhì)陶瓷電容器電容穩(wěn)定，陶瓷多種類型的介質(zhì)陶瓷電容器，它們的介電常數(shù)通常有一定的要求，并且它們的電性能相對穩(wěn)定，它適用于電器的旁路應用和低頻應用，具有高可靠性要求，介質(zhì)陶瓷電容器陶瓷，具有高介電常數(shù)，廣泛用于穩(wěn)定性和容量損失不嚴重的應用中。

介質(zhì)陶瓷電容器，通過層疊和燒結多個陶瓷介質(zhì)陶瓷電容器裝置而形成，所述陶瓷介質(zhì)陶瓷電容器裝置，有包含鈮酸鉛鎂作為陶瓷介質(zhì)，陶瓷電容器層疊陶瓷元件的陶瓷介質(zhì)陶瓷電容器裝置，因為它的每個陶瓷膜非常薄，所以它具有大容量。

陶瓷介電介質(zhì)陶瓷電容器，是主要用于制造介質(zhì)陶瓷電容器的陶瓷材料，陶瓷介質(zhì)可分為陶瓷介質(zhì)陶瓷鐵電體、介質(zhì)陶瓷介質(zhì)陶瓷半導體、介質(zhì)高頻介質(zhì)陶瓷疊層陶瓷單片結構，根據(jù)國家標準，它分為I類陶瓷介質(zhì) II類和III類。